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苹果开启长鑫存储DRAM 测试 引入国产内存或为掌握议价主动权

时间:2010-12-5 17:23:32  作者:综合   来源:焦点  查看:  评论:0
内容摘要:快科技7月8日讯今年6月底,业界曝出苹果正积极游说美国监管机构,寻求批准从国内存储芯片巨头长鑫存储CXMT)采购DRAM内存芯片。最新进展显示,苹果已正式开启对长鑫存储内存芯片的测试环节,初步计划将其

快科技7月8日讯今年6月底,苹果业界曝出苹果正积极游说美国监管机构,开启寻求批准从国内存储芯片巨头长鑫存储(CXMT)采购DRAM内存芯片。长鑫存储测试

最新进展显示,引入议苹果已正式开启对长鑫存储内存芯片的国产测试环节,初步计划将其应用于在中国大陆销售的内存设备中。

据知情人士向媒体透露,掌握主动苹果目前的苹果策略呈现“双轨并行”态势:
1. 内部测试与国行适配:在内部严格测试长鑫存储的DRAM产品,规划优先供给国行版本设备使用;
2. 外部游说与合规争取:在美国科技行业内牵头游说,开启争取允许更广泛地使用长鑫存储的长鑫存储测试产品。不过,引入议截至目前,国产苹果尚未正式表态会将长鑫存储芯片投入规模化量产。内存

美银报告:实质性大规模应用面临三大阻碍

尽管苹果动作频频,掌握主动但据外媒wccftech报道,苹果美国银行(Bank of America)在最新发布的研报中指出,苹果试图大规模采用长鑫存储DRAM的可能性较低,难以形成实质性的采购规模。

该行深入分析了制约苹果大规模采用的三大核心因素:

  • 地缘政策约束:美国现行的对华半导体出口管制政策构成了硬性门槛,限制了供应链的合规性。
  • 技术指标差距:苹果设备对LPDDR5X内存有着严苛标准,要求传输速率超过10Gbps、工作电压低至1.1V,并必须搭载ECC纠错功能。虽然长鑫存储现有芯片最高速率可达10.667Gbps,但受制于相对老旧的制造工艺,其芯片存在寄生电容偏高、漏电电流较大等技术短板,难以完全满足苹果的高端需求。
  • 专利诉讼风险:三星、SK海力士和美光三大海外巨头手握海量DRAM核心专利。若苹果大规模转向长鑫存储,极易卷入复杂的专利侵权纠纷,带来潜在的法律与商业风险。

战略意图:以国产内存为筹码,压低采购成本

综合上述分析,美银判断,即便苹果最终采用长鑫存储的DRAM,其应用场景也将局限于iPhone 18e等入门级低端机型。

然而,考虑到国内消费者更偏好高端iPhone,低端机型市场销量相对疲软,这意味着对应的内存采购订单体量有限,难以形成具备产业规模的采购量。

报告同时揭示了苹果布局长鑫存储内存背后的深层商业考量:将国产DRAM作为关键的议价筹码。在与三星、SK海力士、美光三大海外存储巨头洽谈2026年下半年至2027年的供货合同时,苹果希望通过引入国产供应商,增强自身的议价能力,从而有效压低芯片采购价格,优化供应链成本结构。

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