

“中国存储产业,解读是什说否仅剩两年关键追赶窗口?”
作者丨胡清文
编辑丨徐晓飞
“一家存储芯片公司,竟能实现84.9%的美光毛利率,甚至超越同期英伟达约75%的正打水平。这在半导体历史上闻所未闻。破存”
一位深耕半导体领域的储周资深分析师向雷峰网指出,美光最新财报的解读核心价值,不在于营收规模的什说倍数增长,而在于存储行业的美光底层利润分配逻辑发生了根本性逆转。
“过去,正打存储被视为大宗商品,破存价格由市场自由博弈决定;如今,储周产能被AI需求彻底吞噬,解读市场已转变为绝对的什说卖方市场。”
过去一年,美光英伟达几乎垄断了AI产业的所有关注焦点。GPU销量狂飙,ASIC芯片崛起,光模块、液冷技术及电源管理板块轮番上涨。
然而,真正在幕后攫取巨额利润的受益者,正逐渐浮出水面。
财报数据显示,美光2026年第三季度单季营收高达414.6亿美元,同比激增346%,创下公司历史单季收入新高;毛利率攀升至84.9%,较去年同期大幅跃升46个百分点。
财报发布后,美光股价在盘后交易中一度飙升超过10%。
资本市场的热捧,并非仅仅因为一家存储厂商赚得更多,而是因为它回答了三个关乎行业未来的核心命题:
为何一家存储公司的毛利率能超越英伟达和Meta?
表面看来,答案似乎显而易见:AI热潮带动了HBM(高带宽内存)需求,美光踩中了风口。
但在长期追踪半导体产业的分析师李哲看来,这是外界对这份财报最大的误读。
“驱动这一结果的,是DRAM和NAND产品矩阵的全面系统性提价,而非HBM单品的孤立爆发。Q3营收同比暴涨346%,而成本仅增长10.5%,这种巨大的‘剪刀差’正是84.9%超高毛利率的来源。”
李哲分析指出,SK海力士、三星和美光三大巨头将最优质的产能全部倾斜于HBM生产,实质上从供给侧限制了普通DRAM的供应。与此同时,AI服务器对DDR5的需求同步爆发,形成两头挤压之势。在某些季度,普通DRAM的价格涨幅甚至超过了HBM本身。
“美光旗下每条业务线的毛利率均落在79%至87%区间,DRAM、NAND及企业级SSD全线普涨。这是一场产品系统的集体提价,而非某个明星产品的单兵突进。”李哲补充道。
涨价的根本原因在于结构性缺货。根据TrendForce数据,2026年第一季度一般型DRAM合约价已暴涨90%-95%,第二季度预计将继续上涨58%-63%;同期NAND Flash合约价预计再涨70%-75%。
这种价格传导迅速蔓延至产业链上下游。
在美光发布财报同日,苹果宣布全线产品涨价。库克将这一轮涨价危机形容为“百年一遇的洪水”,其潜台词是将成本压力转嫁给供应商。
美光的回应则堪称教科书式的“阴阳怪气”。首席商务官Sumit Sadana在采访中表示,在上一次行业下行周期中,正是某些客户疯狂压价,才导致整个行业毛利率跌至负值。
这场舆论交锋极具戏剧性:同一场存储荒中,两家巨头处境迥异。
苹果方面,Q3毛利率指引下调至47.5%-48.5%,低于一年前水平;反观美光,Q3毛利率飙升至84.9%,较上年同期翻倍有余。
这轮涨价能持续多久?
“我不质疑需求的真实性,AI对存储的消耗是结构性的,这一点已成共识。但美光CEO Mehrotra在电话会上透露,美光目前仅能满足客户50%至三分之二HBM需求。这意味着,当前未交付的订单在产能释放后,将转化为未来的供给压力。”
聚焦AI基础设施的分析师秦伟指出,三大巨头正在同步扩产,2027年至2028年将有大量新产能涌入市场,行业拐点可能届时出现。
“但美光签署的长期协议设有价格下限,该下限对应的毛利率远超美光历史上任何周期的利润峰值。这意味着,即使下一轮存储周期价格下跌触发下限,美光的利润水平依然可观。”秦伟补充道。
HBM的扩张挤占了行业弹性产能,迫使DRAM和NAND供给全线收紧。从苹果等下游品牌厂商到普通消费者,都在为这场结构性缺货买单。
库克称之为“百年一遇的洪水”,但对于美光而言,这场洪水正将其推向利润巅峰。
“三十年来,DRAM行业遵循着‘繁荣扩产-产能过剩-价格崩塌-亏损熬底’的周期律。但现在,产业心态变了。”分析师李哲表示。
如果说84.9%的毛利率证明了AI创造了真实需求,那么财报中的另一个细节,则回答了一个更关键的问题:
AI是否第一次改变了存储行业几十年的周期规律?
在李哲看来,美光财报的核心看点,除了巨额利润,还包括其披露的16份战略客户协议(SCA)。
这16份协议采用Take-or-pay(照付不议)结构,覆盖约20%的DRAM出货量和三分之一的NAND出货量。协议涉及四家超大型客户和三家大型客户,横跨数据中心、消费和汽车市场,期限从2026年延伸至2030年。
李哲解释,Take-or-pay的含义简单直接:无论买或不买,款项必须支付。这些长协并非传统预购,而是客户在押注未来四年存储需求不会萎缩,同时接受了“锁价换锁量”的逻辑。
“AI首次让存储行业从‘价格优先’转向‘供给优先’。过去,厂商采购DRAM更关注季度价格走势;现在,厂商更看重能否获取HBM和DDR5资源,价格反而退居其次。”
根据财报,其中14份协议已明确具体定价条款。按最低承诺量和最低价格计算,合计锁定至少1000亿美元的累计收入。目前,客户已预付现金及财务承诺220亿美元,其中180亿美元为现金存款,40亿美元为信用证。
然而,财报中仍有一个数字值得警惕。
美光将2026财年资本开支上调至270亿美元,并预告2027财年资本开支将超过400亿美元。增量的一半以上将投入无尘清洁室厂房基建。
这一节奏意味着什么?
分析师秦伟认为,这表明新产能不会立即涌入市场,而是2027至2028年的问题。“从设备安装、产能爬坡、折旧开始冲击成本,再到供给冲击市场,这一链条至少需要18个月。”
TrendForce最新分析指出,由于AI芯片交付延迟和现有库存积累,HBM出货量和消耗量的增速正在放缓,市场正进入修正阶段。
“换言之,长协锁定了近两年的确定性,但扩产轨迹暗示周期并未消失,只是被延期了。美光是在用制度设计对抗历史规律,而非消灭它。但这中间的时间差,蕴含着巨大的博弈空间。”秦伟补充道。
对于中国而言,这场由AI改写的全球存储行业利润重新分配,是否还为后来者留下了窗口期?
“芯片造得出来,但存储配套跟不上。我们的算力天花板,卡在了存储上,而非算力本身。”资深芯片工程师吴辉感叹道。
他通过两组数据剖析了中国AI存储的现状:
根据SemiAnalysis估算,国内头部芯片厂商每年可生产超过100万枚高端芯片裸片,晶圆产能已非瓶颈。
然而,国内头部存储厂商2026年预计仅能生产200万套HBM堆叠。按每颗高端AI芯片需6至8个堆叠计算,仅够支撑25至30万枚芯片的封装需求。
在SK海力士、三星、美光三足鼎立的格局下,中国还有哪些真实可及的机会?
“存储三巨头将优质产能优先分配给HBM,在传统DRAM市场留下了缺口。今年一季度,国内头部存储厂商的DRAM单位售价仅比三巨头低5%-10%,营业利润率已接近70%。”
吴辉透露,路透社近日爆料长鑫存储拿下腾讯约30亿美元的DRAM供货合同。他认为,这是产业周期带来的错位红利具体体现。
据多家机构测算,国内头部存储厂商计划将20%总产能(约6万片晶圆)切换至HBM生产线,目标在2026年底实现HBM3量产,并已开始向国内AI芯片开发商提供样品。
吴辉强调,韩国厂商早在2023年就已量产HBM3,国产厂商存在3至4年的代差,这并非小数目。未来良率提升与成本控制,将决定国产HBM的商业化进程。
“封锁之后,国内芯片厂商不再等待海外供应恢复,而是同步推进晶圆制造、先进封装、国产HBM及类HBM架构多条路线并行。”
分析师秦伟认为,尽管该体系在产能和成熟度上仍有限,但其最大价值不在于当下供货量,而在于已开始形成国产自主闭环的AI存储生态。
“若国产HBM量产后复制通用DRAM的低价策略,中低代次HBM的全球利润格局或将被重新改写。”秦伟补充道。
上述三层机会,均指向同一个时间窗口。
国际三大存储厂商的扩产需至2027至2028年才转化为新增供给,在此之前,全球HBM供给将持续偏紧。这对中国存储产业而言,是最关键的追赶窗口。
能否在有限时间内,完成产能建设、提升良率,实现国内AI芯片、HBM和本土云计算需求的稳定供应链闭环,才是这场长跑的真正考题。
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