内容摘要：2026年7月3日，闪迪SanDisk）与铠侠Kioxia）正式宣布，其第十代BiCS FLASH 3D闪存技术——BiCS10已启动样品交付。首款量产型号采用1Tb TLC规格，凭借332层垂直堆叠

2026年7月3日，闪迪D闪s速I数闪迪（SanDisk）与铠侠（Kioxia）正式宣布，铠侠其第十代BiCS FLASH 3D闪存技术——BiCS10已启动样品交付。发布首款量产型号采用1Tb TLC规格，存层凭借332层垂直堆叠结构，堆叠标志着3D NAND技术迈入新高度。率主

核心工艺传承与突破

BiCS10沿用了由BiCS8确立的据中两项关键制程路线，为高性能奠定基础：

1. CMOS直接键合至存储阵列（CMOS Direct Bonded to Array）：该技术将逻辑控制电路与存储单元分别制造在独立晶圆上，闪迪D闪s速I数随后通过高精度的铠侠晶圆级对准与键合工艺实现集成，有效提升了集成度与信号传输效率。发布
2. 间距选择型栅极漏极工艺（Spacing Select Gate Drain,存层 SSGD）：通过对存储单元空间排布的精细化调控，显著提升了单位面积内的堆叠存储密度。

这两项成熟工艺的率主持续优化，使BiCS10成功实现了332层堆叠高度及4.8Gb/s的据中高速接口性能。

性能指标全面跃升

在关键性能参数上，闪迪D闪s速I数BiCS10展现出显著优势：

• 接口速率：NAND接口速率提升至4.8Gb/s，较前代BiCS8提升33%。
• 位密度：达到29Gb/mm²以上，相比前代增长59%，位居行业前列。
• 能效优化：
• 输入功耗降低10%
• 输出功耗大幅降低34%
• 写入能效提升18%
• 读取能效提升30%

技术适配与协议支持

为应对高负载场景下的稳定性与效率需求，BiCS10全面兼容以下技术标准：

• Toggle DDR 6.0接口规范
• SCA（Storage Class Accelerator）协议
• PI-LTT（Power Isolation Low Temperature Transition）低功耗技术

市场定位与应用前景

据市场预测，2026至2028年间，全球NAND闪存整体出货容量的年均复合增长率（CAGR）预计为22%，其中数据中心应用领域的增速更为迅猛，预计将达到46%。

基于此趋势，BiCS10的市场定位非常明确：

• 非消费级产品：暂不面向普通消费市场，且未公布单颗芯片定价。
• 主攻企业级市场：率先应用于企业级固态硬盘（SSD）及数据中心级存储解决方案。
• 核心应用场景：重点服务于人工智能（AI）的训练与推理任务，以及大规模云服务环境下对高吞吐、低延迟数据处理有严苛需求的场景。