内容摘要：2025年以来，全球存储芯片市场迎来剧烈波动，价格持续走高。自2025年9月起，部分主流型号内存条价格涨幅已突破300%。这一现象背后的核心逻辑在于，AI基础设施建设带来的长期结构性需求，正在深刻改变

2025年以来，内存条全球存储芯片市场迎来剧烈波动，价格暴涨价格持续走高。内存条自2025年9月起，价格暴涨部分主流型号内存条价格涨幅已突破300%。内存条这一现象背后的价格暴涨核心逻辑在于，AI基础设施建设带来的内存条长期结构性需求，正在深刻改变存储市场的价格暴涨供需平衡。

主流产品价格翻倍，内存条涨幅惊人

对比去年同期数据，价格暴涨当前主流存储产品的内存条价格涨幅普遍超过100%，具体表现如下：

• 1TB 固态硬盘：价格从去年的价格暴涨410元上涨至950元，涨幅达 132%。内存条
• 16GB DDR5 内存：价格从去年的价格暴涨450元飙升至1800元，涨幅高达 300%。内存条
• 32GB DDR5 内存：价格从去年的900元激增至3800元，涨幅达到 322%。

产能扩张与“虹吸效应”

面对企业级存储订单的快速增长，国内存储厂商正加速产能布局。以广东深圳某存储企业为例，其在惠州的模组制造工厂自去年底启动产能扩充计划，重点聚焦于企业级内存条等产品线的建设。

然而，国际数据机构IDC专家指出，本轮涨价的根本驱动力并非传统终端需求的爆发，而是AI芯片对存储产能产生的“虹吸效应”。

“一颗HBM（高带宽内存）能够消耗相当于同等容量普通DRAM 2到3倍的晶圆面积。”

三星电子、SK海力士、美光科技等巨头正疯狂扩产HBM产能，这直接导致传统DRAM和NAND的可用产能被严重挤压，从而推高了整体市场价格。

未来展望：高估值背后的风险与压力

摩根大通最新研报警示，AI存储在云服务商资本开支中的占比目前缺乏长期的可持续性。数据显示，该占比正快速攀升，预计今年将达到 52%，明年有望突破 70%。

IDC专家进一步分析认为：
1. 短期来看：存储板块的高估值由HBM供需缺口支撑，但仍存在回调风险。
2. 长期来看：若2027年后AI商业化进程无法跟上产能释放的节奏，存储板块将面临一次真正的“压力测试”。

(来源：新华社)